• OUT-OF-STOCK
Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
search
  • Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
  • Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
  • Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
  • Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
  • Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
  • Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
  • Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
  • Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
  • Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

120,63 €
С НДС
Monthly payment from 7.54€
Не доступен для заказа

Samsung
MZ-V9P1T0BW

Характеристики

Height
22 mm
Width
80 mm
Depth
2.3 mm
Вес
9 g
Memory type
V-NAND MLC
SSD Capacity
1 TB
Рабочая температура (ТТ)
0 - 70 °C
Интерфейс
PCI Express 4.0
Тип упаковки
Box
Скорость записи
6900 MB/s
Скорость чтения
7450 MB/s
Потребляемая мощность (макс.)
7.8 W
Потребляемая мощность (средняя)
5.4 W
Среднее время между отказами (MTBF)
1500000 h
Алгоритмы безопасности
256-bit AES
Рабочая вибрация
1500 G
Форм-фактор SSD
M.2
NVMe
Yes
Гарантийный срок
5 year(s)
Hardware encryption
Yes
Component for
PC
DevSlp (device sleep) support
Yes
S.M.A.R.T. support
Yes
TRIM support
Yes
PCI Express interface data lanes
x4
Random write (4KB)
1550000 IOPS
NVMe version
2.0
Random read (4KB)
1200000 IOPS
Operating voltage
3.3 V
Maximum operating temperature
70 °C
External DDR cache quantity
1024 MB
External DDR cache
Yes